ماسفت N-Channel مدل P55NF06 یک ماسفت قدرت با توانایی هدایت جریان بالا تا 50 آمپر و مقاومت کم در حالت روشن (RDS) معادل 18 میلی‌اهم است. این ماسفت دارای ولتاژ گیت-سورس (VGS) معادل 20 ولت است که برای فعال‌سازی آن کافی است. به دلیل مشخصات برجسته، این ماسفت در کاربردهای مختلف صنعتی و رباتیک، به‌ویژه در درایوهای موتور و مدارهای قدرت، بسیار مورد استفاده قرار می‌گیرد.
برای عملکرد بهینه، استفاده از مدار درایور جهت کنترل کامل این ماسفت ضروری است. بسته‌بندی TO-220 این قطعه نصب و استفاده آن را در بردهای مختلف آسان می‌کند.
مشخصات فنی ماسفت N-Channel مدل P55NF06
نوع: ماسفت N-Channel
جریان مداوم درین (ID): 35 آمپر
جریان پیک درین (ID-peak): 50 آمپر
ولتاژ شکست درین-سورس: 60 ولت
مقاومت درین-سورس (RDS): 0.018 اهم
ولتاژ گیت-سورس (VGS): 2 تا 4 ولت (آستانه)، حداکثر 20 ولت
توان مصرفی حداکثر: 110 وات
زمان صعود و نزول: 50 نانوثانیه و 15 نانوثانیه
ظرفیت ورودی و خروجی: 1300pF و 300pF
محدوده دمای کاری: 55- تا 175+ درجه سانتی‌گراد
بسته‌بندی: TO-220
کاربردهای ماسفت N-Channel مدل P55NF06
درایورهای موتورهای DC
تقویت‌کننده‌های قدرت
مدارهای تبدیل توان
سوئیچینگ در مدارات صنعتی
 
The P55NF06 is an N-channel MOSFET with a high drain current of 50A and a low Rds value of 18 mΩ. It also has a VGS of 20V at which the MOSFET will start conducting. Hence it is commonly used to drive applications. However, a driver circuit is needed if the MOSFET has to be switched in completely.
Specifications of P55NF06 N-Channel Mosfet:
N-Channel Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID): 35A
Pulsed Drain Current (ID-peak) is 50A
Maximum Power Dissipation: 110W
Drain to Source Breakdown Voltage: 60V
Single pulse avalanche energy: 340mJ
Drain Source Resistance (RDS) is 0.018 Ohms
Gate threshold voltage (VGS-th): 2~4
Max Gate threshold voltage (VGS-th): 20V
Rise time and fall time is 50nS and 15nS
Input Capacitance 1300pF
Output Capacitance 300pF
Operating Temperature Range: -55°C to 175°C
Available in To-220 package