سنسور مغناطیس 2 محور HMC1052 یک حسگر مغناطیسی دقیق و با عملکرد بالا است که برای اندازه‌گیری میدان مغناطیسی دو محوره طراحی شده است. این حسگر که توسط شرکت هانی‌ول ساخته شده، در کاربردهایی مانند قطب‌نمای الکترونیکی، شناسایی ناهنجاری‌های مغناطیسی و اندازه‌گیری میدان‌های مغناطیسی ضعیف کاربرد فراوانی دارد. این دستگاه حساسیت بالا، تکرارپذیری عالی و نویز کم را ارائه می‌دهد که آن را برای محیط‌های صنعتی و علمی چالش‌برانگیز مناسب می‌کند.
مشخصات فنی سنسور مغناطیس 2 محور HMC1052
ولتاژ ورودی: 1.8 تا 20 ولت (Vbridge نسبت به زمین)
مقاومت بریج: 800 تا 1500 اهم (معمولاً 1000 اهم در جریان 10 میلی‌آمپر)
دمای کاری: منفی 40 تا مثبت 125 درجه سانتیگراد
دمای نگهداری: منفی 50 تا مثبت 125 درجه سانتیگراد (بدون بار)
دامنه میدان مغناطیسی: ±6 گوس
خطای خطی بودن: 0.5% FS برای ±3 گوس، 1.3% FS برای ±6 گوس
خطای هیسترزیس: 0.06% FS (3 بار عبور در ±3 گوس)
خطای تکرارپذیری: 0.05% FS (3 بار عبور در ±3 گوس)
افست بریج: ±1.25 میلی‌ولت بر ولت (معمول ±0.5 میلی‌ولت بر ولت در میدان صفر)
حساسیت: 1.0 میلی‌ولت بر ولت بر گوس (معمولی با جریان 0.5 آمپر)
چگالی نویز: 50 نانوولت بر ریشه هرتز در 1 هرتز (Vbridge = 5 ولت)
رزولوشن: 280 میکروگوس (پهنای باند 10 هرتز، Vbridge = 5 ولت)
پهنای باند: از DC تا 3 مگاهرتز
ضریب دمای حساسیت: منفی 2900 قسمت در میلیون به ازای هر درجه سانتیگراد (دمای کاری -40 تا 125 درجه)
ضریب دمای مقاومت بریج: 2100 تا 2900 قسمت در میلیون (Vbridge = 5 ولت)
نسبت حساسیت سنسورهای X و Y: 75% تا 120% (معمول 100%)
اطلاعات بیشتر درمورد سنسور مغناطیس 2 محور HMC1052
دیتاشیت
The HMC1052 is a high-performance, 2-axis magnetoresistive sensor designed for precision magnetic field sensing. Developed by Honeywell, this sensor is widely used in applications such as electronic compasses, magnetic anomaly detection, and low-field magnetic sensing. The device offers high sensitivity, excellent repeatability, and low noise performance, making it suitable for demanding industrial and scientific environments.
Specifications of HMC1052 2-Axis Magnetic Sensor
Input Voltage: 1.8V to 20V (Vbridge, referenced to GND)
Bridge Resistance: 800 to 1500 Ω (typical 1000 Ω at 10 mA)
Operating Temperature: -40°C to +125°C
Storage Temperature: -50°C to +125°C (unbiased)
Field Range: ±6 gauss (full scale)
Linearity Error: 0.5% FS (±3 gauss), 1.3% FS (±6 gauss)
Hysteresis Error: 0.06% FS (3 sweeps across ±3 gauss)
Repeatability Error: 0.05% FS (3 sweeps across ±3 gauss)
Bridge Offset: ±1.25 mV/V (typical ±0.5 mV/V at 0 gauss)
Sensitivity: 1.0 mV/V/gauss (typical, with 0.5A set/reset current)
Noise Density: 50 nV/√Hz at 1 Hz (Vbridge = 5V)
Resolution: 280 mgauss (10 Hz bandwidth, Vbridge = 5V)
Bandwidth: DC to 3 MHz
Sensitivity Temperature Coefficient: -2900 ppm/°C (Ta = -40 to +125°C)
Bridge Resistance Tempco: 2100 to 2900 ppm/°C (Vbridge = 5V)
Sensitivity Ratio (X:Y): 75% to 120% (typical 100%)